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随着芯片尺寸不断缩小,短沟道效应、热效应日趋显著.开发全新的量子材料体系以实现高性能芯片器件应用已成为当前科技发展的迫切需......
二维过渡金属硫属化物以其优异的性能近年来得到了科学和产业界的广泛关注和研究兴趣。其中,单层二硫化钼和二硒化钼是最具代表性......
学位
通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，在6英寸硅（111）衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）的......
非磁/铁磁异质结构中存在很多有趣的演生现象，特别是，铂/铁磁异质结构中的反常霍尔效应是一个研究热点.本文采用脉冲激光沉积技术和......
假冒伪劣的盛行已严重危害国民的健康和政府的形象,例如食品、钞票、文件、贵重物品等经常被非法伪造,这对个人、公司、社会、国家......
刚玉结构的α-Al2O3具有高温硬度高,化学稳定性好,电绝缘性高和抗氚渗透性能好等优异的综合性能,在高速钢刀具涂层、微电子领域和......
锂离子动力电池由于无污染、工作电压高、能量密度高以及稳定性能好等优势,被广泛的运用在小型电子设备、电动汽车等领域。但是用......
立方氮化硼（c-BN）作为闪锌矿面心立方结构的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物，是第三代半导体材料里禁带宽度最大的材料，还具有热导率高、高硬度、耐......
聚合物材料因其优异的韧性、耐腐蚀性和生物相容性等而被广泛应用于各个领域。但是聚合物材料又具有硬度低和耐磨性能差等不可忽视......
Cs Cl型Fe Rh合金在室温为反铁磁（AF）,加热时它经历了一个特殊的一级相变转变为铁磁（FM）相,因而在自旋电子设备上具有巨大的应用前景。......
金属有机骨架（Metal-organicframework,MOF）因其超高的孔隙率,可调控的孔道结构和内表面性质成为良好的膜分离材料之一。MOF膜的微观......
本文从理论和实验两个方面围绕ZnO和GZO（Ga掺杂ZnO）薄膜的制备和光学与电学性能进行了系统研究,取得了一系列新的研究结果。将掺杂半......
The influence of GaAs substrate on the transmission performance of a multi-film Fabry-Peerot filter (FPF), fabricated by......
本文用两种波长不同的激光——Ar 激光和CO2激光,对以石英为衬底的a-Si SOI进行了激光结晶。两者的结晶机理不同,得到了不同的结晶......
随着YBa2Cu3O7-x（YBCO）高温涂层超导材料在诸多领域的广泛应用，做为外延生长YBCO的韧性Ni-5at.％W（NiSW）合金基带，因在保证高织构度的前提......
随着晶体管的进一步小型化，由于存在漏电流，传统的SiO2已经无法满足下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅介质要求。为了继续......
该文基于前人的实验理论,率先研究了锆钛比为94/6的锆钛酸铅薄膜的性能.实验中薄膜样品的结构为Pt/PZT/YBCO/LAO,LAO为基底材料,Pt......
本论文采用Guassian98程序,密度泛函BHandHLYP/6-311G**方法,首次在理论上对以BCl3作为掺杂源,在常压氢气氛下实际外延生长P型硅的......
采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反......
综述了目前国内外在连续激光非晶化方面的研究和发展。在分析现有文献的基础上指出：连续激光非晶化时材料的临界冷速ＲＬＣ大大高于常规法......
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石......
研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGa......
基于中波红外(峰值响应波长4.5μm)量子阱红外探测器QWIP进行了大应变In0.34Ga0.66As/GaAs/Al0.35Ga0.65As微带超晶格结构的MOCVD......
在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,......
模拟了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射谱和量子阱增益谱,采用金属有机物化学气相沉积设备外延生长了980nm的垂直腔面发射激光器,......
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长......
将3,4,9,10-苝四酸二酐(PTCDA)分别与单层二硫化钼(MoS_2)和石墨烯结合构成有机-无机异质结,并研究其荧光性能。在MoS_2/PTCDA体系......
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图......
利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在......
该文开始回顾了高温超导材料的发展简史,介绍了超导技术在现实中的应用并简单总结了高温超导薄膜的通用制备方法和分析方法.用衬底......
本论文的主要工作是解决大面积高温超导薄膜的均匀性问题。采用计算机模拟和实验验证相结合的方法，找到了在直径三英寸(约75mm)的衬......
高温超导材料是当代凝聚态物理中最重要的研究领域之一,也是新材料科学研究领域一个重要的科学前沿。高温超导材料自从发现之日起,......
相变磁性材料作为一种同时具备相变特性和稀磁半导体特性的新型功能材料,始终受到研究者们的广泛关注。磁性离子掺杂的GeTe基材料......
由于第二种金属的加盟,双金属纳米晶改变了两种金属的结合能和电子构型,有望产生新的物理或化学性质。同时,两种金属的协同作用可......
钕钡铜氧(NdBCO)超导薄膜因在强磁场下拥有高临界转变温度(T_c)与高临界电流密度(J_c),且其本身的结晶质量与表面稳定性均优于目前......
膜分离技术应用于有机物脱水在工业上具有重要需求。T型沸石分子筛的八元环孔道直径为0.36 nm×0.51 nm,硅铝比适中为34,亲水性和......
氮化镓(GaN)作为重要的宽禁带半导体材料,具有高饱和电子迁移率、高热导率、耐高温和强辐射等特性,已经成为制备电力电子器件的理......
对于半导体自旋电子学器件而言,自旋注入层材料选择一直是个问题。注入层材料选择的根本问题是金属自旋注入材料与半导体材料的电......
